RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
76
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
76
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1887
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link