RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2936
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link