RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2936
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link