RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
54
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3617
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Mushkin 991981 (996981) 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link