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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1946
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
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