RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
54
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3075
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link