RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
54
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3075
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link