RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
104
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2717
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link