RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
104
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2717
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link