RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2881
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link