RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4119
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link