RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4119
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link