RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 24
    Около -14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.2 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    18.8 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 19.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 18.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4119

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
модули RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
модули RAM