RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
3317
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link