RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,378.6
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
3317
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link