RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
3317
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link