Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 24

Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.4 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.0 6.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2269 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns