Comparação RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Pontuação geral

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 24

Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.4 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.0 6.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2269 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns