Comparaison de la RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Note globale

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 24

Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.0 6.3

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2269 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns