RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3713
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link