RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 24
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    23 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 12.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 6.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2269 left arrow 2256

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
модули RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM