RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2353
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link