RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2353
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link