RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2353
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link