RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2686
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link