RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2637
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link