RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3611
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link