RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
63
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3564
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link