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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
45
Autour de -137% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3370
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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