RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
45
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3370
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link