RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
45
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
19
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3370
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link