RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
63
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3209
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link