RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
63
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3706
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link