RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
63
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3706
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-199.A00LF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link