RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3234
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link