RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3234
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link