RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
63
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
37
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2848
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link