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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2953
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-492.A00LF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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