RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
63
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
36
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2581
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link