RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2581
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link