RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
63
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
51
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2387
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link