RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
63
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
37
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2389
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link