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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
8.1
13.5
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2389
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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