RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
63
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2830
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link