RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2830
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link