RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
63
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2831
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link