RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2831
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link