RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2366
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link