RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3098
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link