RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3098
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link