RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
63
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3616
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link