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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
66
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
35
Vitesse de lecture, GB/s
7.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1760
2336
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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