RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Comparez
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1654
3312
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link